Inovação em tecnologia do transistor: a nova tecnologia pode aumentar a capacidade de resfriamento em mais de duas vezes!
Com o aumento da miniaturização de dispositivos semicondutores, surgiram questões como aumento da densidade de potência e geração de calor, o que pode afetar o desempenho, a confiabilidade e a vida útil desses dispositivos. O nitreto de gálio (GaN) em diamante exibe perspectivas promissoras como o material semicondutor da próxima geração, pois ambos os materiais possuem manchas de banda amplas que permitem alta condutividade e alta condutividade térmica do diamante, posicionando -os como excelentes substratos de dissipação de calor.
Segundo relatos, uma equipe de pesquisa da Universidade Metropolitana de Osaka usou o Diamond, o material natural mais condutor termicamente da Terra, como substrato para criar transistores de nitreto de gálio (GaN), que têm mais que o dobro da capacidade de dissipação de calor dos transistores tradicionais. Nas pesquisas mais recentes, cientistas da Universidade Pública de Osaka fabricaram com sucesso os transistores de mobilidade de elétrons Gan High usando o diamante como substrato. O desempenho de dissipação de calor dessa nova tecnologia é mais do que o dobro dos transistores de formato semelhante fabricados em substratos de carboneto de silício (SIC). Reduz significativamente a resistência térmica da interface e melhora o desempenho da dissipação de calor.
